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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor19795+￥2.952525+￥2.733850+￥2.5807100+￥2.5151500+￥2.47132500+￥2.41665000+￥2.394810000+￥2.3620 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor58495+￥3.835425+￥3.551350+￥3.3524100+￥3.2672500+￥3.21032500+￥3.13935000+￥3.110910000+￥3.0683 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor93855+￥1.952125+￥1.807550+￥1.7063100+￥1.6629500+￥1.63402500+￥1.59785000+￥1.583410000+￥1.5617 -
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品类: TVS二极管描述: 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes952410+￥6.0348100+￥5.7331500+￥5.53191000+￥5.52182000+￥5.48165000+￥5.43137500+￥5.391110000+￥5.3710 -
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品类: TVS二极管描述: 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes257920+￥0.657550+￥0.6088100+￥0.5844300+￥0.5649500+￥0.55031000+￥0.54065000+￥0.530810000+￥0.5211 -
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品类: TVS二极管描述: 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors641410+￥0.706150+￥0.6694100+￥0.6433300+￥0.6276500+￥0.61191000+￥0.59622500+￥0.57275000+￥0.5675 -
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品类: TVS二极管描述: 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes83095+￥2.060125+￥1.907550+￥1.8007100+￥1.7549500+￥1.72442500+￥1.68625000+￥1.671010000+￥1.6481 -
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品类: TVS二极管描述: 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes44375+￥3.524925+￥3.263850+￥3.0810100+￥3.0027500+￥2.95042500+￥2.88525000+￥2.859010000+￥2.8199 -
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品类: TVS二极管描述: 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes580610+￥0.935650+￥0.8870100+￥0.8524300+￥0.8316500+￥0.81081000+￥0.79002500+￥0.75885000+￥0.7519 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor139410+￥1.309550+￥1.2416100+￥1.1931300+￥1.1640500+￥1.13491000+￥1.10582500+￥1.06225000+￥1.0525 -
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品类: TVS二极管描述: Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W 2Pin SMB39215+￥1.476925+￥1.367550+￥1.2909100+￥1.2581500+￥1.23622500+￥1.20895000+￥1.197910000+￥1.1815 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor30535+￥2.939025+￥2.721350+￥2.5689100+￥2.5036500+￥2.46002500+￥2.40565000+￥2.383810000+￥2.3512 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor943810+￥1.208350+￥1.1456100+￥1.1009300+￥1.0740500+￥1.04721000+￥1.02032500+￥0.98005000+￥0.9711 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor63185+￥1.543125+￥1.428850+￥1.3487100+￥1.3145500+￥1.29162500+￥1.26305000+￥1.251610000+￥1.2344 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor811210+￥1.150250+￥1.0906100+￥1.0480300+￥1.0224500+￥0.99681000+￥0.97132500+￥0.93295000+￥0.9244
